EUV 장비 적용 이전 세대 대비 생산성 25% 향상
향후 1a D램 모든 제품 생산에 EUV 활용할 계획

SK하이닉스가 EUV 공정을 통해 양산에 성공한 4세대(1a) 10나노 LPDDR4 모바일D램 샘플.
SK하이닉스가 EUV 공정을 통해 양산에 성공한 4세대(1a) 10나노 LPDDR4 모바일D램 샘플.

세계 반도체 업계의 최첨단 미세공정 적용을 위한 EUV 장비 도입 경쟁이 치열하게 전개되고 있는 가운데, SK하이닉스가 EUV 장착 라인에서 10나노 모바일D램 양산에 성공했다.

EUV장비를 적용한 D램 생산라인은 삼성전자가 지난해 1세대(1x) 10나노 DDR4 D램 양산에 첫 적용될 정도로 이제 본격적인 도입이 이뤄지고 있는 기술이다.

12일 SK하이닉스는 4세대(1a) 10나노 LPDDR4 모바일 D램 양산을 이달 초 시작했다고 밝혔다. EUV 장비를 적용한 1a 모바일 D램 양산은 이번이 처음이다.

SK하이닉스는 2세대(1y) 양산부터 EUV 공정을 일부 도입해 안정성을 확인해 왔으며, 이번 양산 성공을 계기로 향후 1a D램 모든 제품 생산에 EUV 공정을 활용한다는 계획이다.

반도체 미세공정은 1개의 웨이퍼에서 몇 개의 반도체 칩을 생산할 수 있느냐를 결정짓는 것으로 곧바로 생산성과 이에 따른 수익으로 이어진다. 반도체 업계가 극자외선 노광장비인 EUV를 적용한 첨단 공정 개발과 운영에 사활을 걸고 있는 이유다.

10나노 D램부터는 기술의 진화 세대별로 알파벳 기호를 붙여 부르고 있으며, 1세대(1x)부터 2세대(2y), 3세대(1z)에 이어 4세대(1a)로 발전해 있다. 이번 SK하이닉스가 양산하는 1a가 10나노 D램 생산에서는 현재 가장 앞선 기술인 셈이다.

4세대 1a D램은 이전 3세대보다 웨이퍼 1장에서 얻는 D램 칩을 약 25% 늘릴 수 있다.

SK하이닉스의 이번 저전력DDR4 모바일 D램은 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였으며, 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램 DDR5는 내년 초 1a 기술 적용이 가능할 것으로 회사측은 내다봤다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장 부사장은 "이번 1a D램 양산에 EUV 공정을 본격 적용하면서, 최첨단 기술 선도 기업으로의 위상을 공고히 할 수 있게 됐다"고 밝혔다.

서낙영 기자 nyseo67@nextdaily.co.kr

저작권자 © 넥스트데일리 무단전재 및 재배포 금지