동일한 기판에 세밀한 미세회로설계와 공정을 투입하면 단위 면적당 생산량을 늘릴 수 있다. 나노미터(1나노미터=10억분의 1미터)급 공정이 본격화한 것은 2001년. 당시 삼성전자가 100나노급 공정기술을 발표한 데 이어, 2002년 90나노, 2003년 80나노 등으로 해마다 기술혁신을 거듭하며 발표했다. 70나노의 경우, 반도체 회로 선폭이 머리카락 두께의 약 1400분의 1에 해당한다. 70나노로 512MB DDR2 D램을 양산하면 90나노로 똑같은 제품을 생산했을 때 보다 생산성이 2배 이상 향상된다. 2012년 현재 20나노 수준으로 떨어졌다.