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삼성전자, 평택 2라인에 8조원 안팎 낸드플래시 생산라인 투자

발행일시 : 2020-06-01 11:00

10조원 규모 EUV 파운드리 이어 메모리도 확대 투자
초격차 전략으로 중국 추격 따돌리고 '위기속 투자'

평택캠퍼스 P2 라인 전경 [사진=삼성전자] <평택캠퍼스 P2 라인 전경 [사진=삼성전자]>

삼성전자가 차세대 기술을 적용한 선제적 생산라인 투자로 '초격차' 반도체 전략에 한층 속도를 낸다.
 
삼성전자는 1일 약 8조원 안팎을 투자해 평택캠퍼스의 생산력을 더욱 확대하며 국내 반도체 전초기지 역할을 강화한다고 밝혔다. 지난달 21일 10조원 안팎의 파운드리 생산라인에 대한 투자에 이어 이번에는 기존 메모리 낸드플래시 생산라인을 증설한다.

삼성전자는 5월 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 2021년 하반기 양산을 시작할 계획이라고 밝혔다.

특히 삼성전자의 최근 일련의 투자는 차세대 기술을 적용했다는 점에서 주목된다. 이번 증설된 메모리 생산라인은 최첨단 6세대 V낸드 제품 양산을 계획하고 있다. 기존 메모리 사업에서의 시장지배력도 한 층 강화할 전망이다.

삼성전자는 이를 통해 AI, IoT 등 4차 산업혁명 도래와 5G 보급에 따른 중장기 낸드수요 확대에도 효과적으로 대응할 수 있다. 최근 '언택트' 라이프스타일 확산으로 이런 추세가 더욱 가속될 것으로 예상되는 가운데, 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장기회를 선점해 나간다는 전략이다. 이미 주요 낸드수요처 고객사 역시 확정된 것으로 풀이된다.

지난 2015년 조성된 평택캠퍼스는 삼성전자의 세계 최대규모 차세대 메모리 생산라인 2개가 건설됐다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 독보적인 글로벌 제조·기술경쟁력을 지키고 있으며, 지난 해 7월에는 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다.

앞서 평택캠퍼스에는 EUV 파운드리 생산라인도 구축돼 내년까지 5나노 비메모리 반도체 양산을 준비하고 있다. 평택캠퍼스에 조성될 V낸드 라인과 파운드리 라인은 별도로 운영되며, 향후 증가할 메모리와 비메모리 수요에 각각 대응할 전망이다. 삼성전자는 지난해 3분기 기준으로 글로벌 디램 시장점유율은 21%, 낸드플래시 시장점유율은 33.5%로 메모리 부문 주요 사업에서 1위를 굳건히 지키고 있다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 초격차를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "최고의 제품으로 고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가경제와 글로벌 IT산업 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 국내에는 화성과 평택, 해외에는 중국 시안에 낸드플래시 생산라인을 운영 중이며 국내외 균형있는 투자를 통해 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장리더십을 더욱 강화할 예정이다.

김광회 기자 elian118@nextdaily.co.kr

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